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EMX1DXV6T1中文资料

EMX1DXV6T1图片

EMX1DXV6T1外观图

  • 大小：51.3KB
  • 厂家：ON SEMICONDUCTOR
  • 描述：Dual General Purpose Transistor
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 1mA，6V
  • 功率 - 最大：500mW
  • 频率 - 转换：180MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装：SOT-563
  • 包装：带卷 (TR)

EMX1DXV6T1供应商

更新时间:2023-01-02 06:44:21
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